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hpf2672918新蟲 (小有名氣)
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[求助]
尋找 可協(xié)調(diào)做基礎(chǔ)實驗的【CVD制備SiC薄膜】設(shè)備
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制備工藝:化學(xué)氣相沉積 CVD 膜層材料:SiC薄膜 膜層厚度:20-40μm 所沉積的基體:帶有貫穿性裂紋的ZrO2陶瓷基體;w尺寸:直徑30mm×5-10mm厚;或 50×10×5mm。(注:貫穿性裂紋寬度1μm,希望能通過沉積將裂紋填充) 其他需求:受疫情影響,薄膜制備地點需要在北京,便于去現(xiàn)場實際調(diào)整工藝。 萬分感謝。! |
新蟲 (小有名氣)
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