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靶材技術(shù)的發(fā)展趨勢
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   濺射靶材向大尺寸、高純度化發(fā)展 高純金屬濺射靶材主要應(yīng)用在晶圓制造和先進(jìn)封裝過程,以芯片制造為例,我們可以看到從一個(gè)硅片變成一個(gè)芯片需要經(jīng)歷7大生產(chǎn)過程,分別是擴(kuò)散(ThermalProcess),光刻(Photo-lithography),刻蝕(Etch)、離子注入(IonImplant),薄膜生長(DielectricDeposition)、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),金屬化(Metalization),每個(gè)環(huán)節(jié)需要用到的設(shè)備,材料和工藝一一對應(yīng).濺射靶材就是被用在"金屬化"的過程中,通過薄膜沉積設(shè)備使用高能的粒子轟擊靶材然后在硅片上形成特定功能的金屬層,例如導(dǎo)電層,阻擋層等. 濺射靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)革新息息相關(guān),隨著應(yīng)用市場在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)進(jìn)步,濺射靶材也需要隨之變化. 在下游應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求最高,隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來,相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸方向發(fā)展,同時(shí)也對濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求. 濺射薄膜的純度與濺射靶材的純度密切相關(guān),為了滿足半導(dǎo)體更高精度、更細(xì)小微米工藝的需求,所需要的濺射靶材純度不斷攀升,甚至達(dá)到99.9999%(6N)純度以上. 靶材作為重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),并出臺(tái)產(chǎn)業(yè)政策,"十三五"提出,到2020年重大關(guān)鍵材料自給率達(dá)到70%以上,初步實(shí)現(xiàn)我國從材料大國向材料強(qiáng)國的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變.目前我國企業(yè)在靶材領(lǐng)域已陸續(xù)取得突破,在現(xiàn)在的經(jīng)濟(jì)背景下,國產(chǎn)靶材必將取得長足發(fā)展. |
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