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2073266459鐵蟲 (初入文壇)
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半導體晶圓蝕刻、清洗特氣&電子級氫氟酸 已有2人參與
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晶圓制作流程 1、濕洗(用各種試劑保持硅晶圓表面沒有雜質(zhì)) 2、光刻(用紫外線透過蒙版照射硅晶圓, 被照到的地方就會容易被洗掉, 沒被照到的地方就保持原樣. 于是就可以在硅晶圓上面刻出想要的圖案. 注意, 此時還沒有加入雜質(zhì), 依然是一個硅晶圓. ) 4.1、干蝕刻(之前用光刻出來的形狀有許多其實不是我們需要的，而是為了離子注入而蝕刻的�，F(xiàn)在就要用等離子體把他們洗掉，或者是一些第一步光刻先不需要刻出來的結(jié)構(gòu)，這一步進行蝕刻). 4.2、濕蝕刻(進一步洗掉，但是用的是試劑， 所以叫濕蝕刻)—— 以上步驟完成后, 場效應管就已經(jīng)被做出來啦，但是以上步驟一般都不止做一次, 很可能需要反反復復的做，以達到要求。 6、熱處理，其中又分為： 6.1 快速熱退火 (就是瞬間把整個片子通過大功率燈啥的照到1200攝氏度以上, 然后慢慢地冷卻下來, 為了使得注入的離子能更好的被啟動以及熱氧化) 6.2 退火 6.3 熱氧化 (制造出二氧化硅, 也即場效應管的柵極(gate) ) 7、化學氣相淀積(cvd)，進一步精細處理表面的各種物質(zhì) 8、物理氣相淀積 (pvd)，類似，而且可以給敏感部件加coating 9、分子束外延 (mbe) 如果需要長單晶的話就需要。 10、電鍍處理 11、化學/機械表面處理 12、晶圓測試 13、晶圓打磨就可以出廠封裝了。 干式蝕刻：通常稱為反應離子刻蝕或rie，使用通常含有鹵素原子的等離子體活化的刻蝕氣體，選擇性地去除一部分材料。優(yōu)點在于精度高，安全。缺點是產(chǎn)能低，成本高。u7ueetc-電子工程專輯 濕式蝕刻：使用酸或堿的水溶液來快速除去大量材料或完全去除特定材料。優(yōu)點是便宜，產(chǎn)能高。缺點則是精度低，危險性高，蝕刻用化學品不宜長期儲存。 【我們有半導體集成電路板清洗、蝕刻，氟氮混合氣、sf6、cf4、99.999wt%無水氟化氫、up-sss有水氫氟酸等。 目前我們我們的規(guī)格指標可以做到行業(yè)領(lǐng)先，30年氟行業(yè)沉淀，目前有和半導體行業(yè)12寸晶圓廠的幾個頭部公司合作】 [ Last edited by 13013129 on 2021-10-16 at 02:33 ] |
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