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| 【懸賞金幣】回答本帖問題，作者meizhixin將贈送您 20 個金幣 | ||
[求助]
缺陷形成能計算結(jié)果跟文獻(xiàn)出入很大，幫忙看一下問題，謝謝各位了
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計算缺陷形成能，利用文獻(xiàn)上的公式，但結(jié)果感覺很不靠譜。。。。 電中性的結(jié)果還好，帶負(fù)電荷的缺陷其形成能計算結(jié)果顯示在整個費(fèi)米能級區(qū)間都是負(fù)的。。。負(fù)的十幾電子伏特 修正項數(shù)值較小，對結(jié)果的影響小，我覺得是帶電缺陷能量的計算結(jié)果影響比較大，但是我計算能量用的參數(shù)都一樣，只是NELECT的設(shè)置不同 下面是一個空位缺陷的相關(guān)計算信息 電荷量 含缺陷體系能量 完美超胞能量 化學(xué)勢 費(fèi)米能級范圍 -3 -457.2247659 -501.1467179 -9.285 0-2.25 -2 -467.2487878 -501.1467179 -9.285 0-2.25 -1 -477.1471905 -501.1467179 -9.285 0-2.25 0 -487.0161765 -501.1467179 -9.285 0-2.25 1 -496.8572304 -501.1467179 -9.285 0-2.25 2 -506.6024742 -501.1467179 -9.285 0-2.25 3 -514.48853 -501.1467179 -9.285 0-2.25 下面給出我計算能量的INCAR，以-1價缺陷為例 SYSTEM = VC ISTART = 0 # (Read existing wavefunction; if there) ISPIN = 2 # (Spin polarised DFT) LREAL = Auto # (Projection operators: automatic) ENCUT = 550 # (Cut-off energy for plane wave basis set, in eV) PREC = Accurate # (Precision level) LWAVE = .T. # (Write WAVECAR or not) LCHARG = .T. # (Write CHGCAR or not) LVHAR = .TRUE. # (Write ionic + Hartree electrostatic potential into LOCPOT or not) NELECT = 253 # (No. of electrons: charged cells; be careful) NPAR = 4 # (Max is no. nodes; don't set for hybrids) IVDW = 12 ISYM = 0 # Lattice Relaxation ISMEAR = 0 # (gaussian smearing method ) SIGMA = 0.05 # (please check the width of the smearing) EDIFFG = -0.001 # (Ionic convergence; eV/AA) EDIFF = 1E-06 GGA = PE 有做缺陷形成能計算的朋友幫我看一下吧，先謝謝各位了 |
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