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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料其他 » ICP刻蝕中Au和GaAs的刻蝕速率比
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[交流]
ICP刻蝕中Au和GaAs的刻蝕速率比
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在工藝一個步驟中想直接用Au做刻GaAs的掩膜，GaAs需要刻掉10um左右，請問現(xiàn)實嗎？如果可以的話氣體配比應該怎么調整 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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