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[求助]
熱注入法合成量子點(diǎn)問題。
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假設(shè)使用熱注入法合成量子點(diǎn),將體系溫度升至200℃,納米晶在此溫度下是否會產(chǎn)生大量空位缺陷?然后將反應(yīng)體系迅速冰浴,那么產(chǎn)生的納米晶是不是會存在過飽和點(diǎn)缺陷呢? 因?yàn)闊嶙⑷敕ê铣傻牧孔狱c(diǎn)質(zhì)量比較高,在量子點(diǎn)太陽能電池中表現(xiàn)出較好的光電轉(zhuǎn)換效率,相比于其他方法合成的量子點(diǎn)?墒侨毕萏嗳菀滓痣娮涌昭ǖ膹(fù)合。 求助,熱注入法會產(chǎn)生很多點(diǎn)缺陷嘛? 如果不采用冰浴,而且緩慢降溫的方式,量子點(diǎn)質(zhì)量是否會更高? 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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