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394163597鐵桿木蟲 (著名寫手)
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[交流]
VASP練習(xí):H在Cu(100)面的吸附能計(jì)算
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按照《Density Functional Theory: A Practical Introduction》Chapter4 表面能及吸附能這部分,自己練習(xí)了H原子在Cu(100)面TOP、BRIDGE、HOLLOW三個(gè)位點(diǎn)的吸附能計(jì)算,計(jì)算結(jié)果和教材出入蠻大,想和算過的前輩比較比較結(jié)果。 以下是計(jì)算簡(jiǎn)介及結(jié)果: 1.H2分子能量計(jì)算:BOX大小8×8×8 angstrom,K點(diǎn)選取Gamma點(diǎn),截?cái)嗄?50eV,優(yōu)化得到H2分子鍵長(zhǎng)0.75angstrom,總能-6.74eV 2.Cu(100)自由表面能量計(jì)算:p(1×1),5層(100)面,10倍(100)層間距的真空層,固定底部?jī)蓪、弛豫其余三層,K點(diǎn)Gamma 14×14×1,截?cái)嗄?50eV,開啟偶極子矯正,優(yōu)化得到Cu(100)自由表面總能-17.47eV 3.放置H原子在Cu(100)面上的TOP、BRIDGE、HOLLOW三個(gè)位點(diǎn)上,INCAR參數(shù)不變,優(yōu)化得到相應(yīng)的總能為-20.13eV、-20.77eV、-20.88eV 4.使用公式:吸附能=總能(H在100面)-1/2*總能(H2分子)-總能(100自由表面) 得到三個(gè)位點(diǎn)的相應(yīng)吸附能為+0.71eV、+0.07eV、-0.04eV,與書中p104的計(jì)算結(jié)果+0.38eV、-0.11eV、-0.19eV的結(jié)果相差較大 我相信一部分原因在于參數(shù)選取不一致,如K mesh、Ecutoff、EDIFF(G)等等,但是結(jié)果相差也太大了吧 ![]() 懇請(qǐng)前輩予以指點(diǎn),我覺得我思路沒錯(cuò),也是對(duì)著教材和教程認(rèn)真研究了的 如果也有練習(xí)的結(jié)果懇請(qǐng)交流交流 |
Vasp |
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剛錄用,沒有期刊號(hào),但是在線可看的論文可以放為代表作嗎
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