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xiaomao_16銀蟲 (小有名氣)
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[求助]
CASTEP計算帶電空位缺陷形成能的問題 已有1人參與
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如題,從文獻(xiàn)中看到有計算公式如下:E=E(defect)-E(perfect)+μ(O)+qEf+ΔFvib(T);其中μ(O)=E(O)-0.5E(bind_O2)+Δμ(O);有幾個問題請教一下大家: 1. Ef費(fèi)米能級一般不是取為VBM=零點(diǎn)了嗎,那這一項(xiàng)是要考慮為零嗎,最后一項(xiàng)說是缺陷形成過程中的振動能,也不知道怎么算,文章里下文完全沒提。。可以忽略嗎? 2. E(O2)文章取的實(shí)驗(yàn)值沒啥說的,E(O)說是電子結(jié)構(gòu)計算得來的,在CASTEP里就是構(gòu)建一個大立方,放一個氧原子算能量嗎? 3. Δμ(O)怎么確定,文章說Δμ(O)=0定義富氧極限,但氧空位產(chǎn)生不該是缺氧情況嗎? 4. 考慮到帶電情況還有修正公式:Ecorr=E(isolated)-E(periodic)+qΔV,最后一項(xiàng)是對齊用的。有個問題是等式右側(cè)不就是我們要求的數(shù)嗎,那這個修正的意義何在?在CASTEP里計算荷電情況的時候是直接在計算的時候Charge一欄填一個電荷數(shù)就ok嗎? |
缺陷計算 | 計算模擬 | 帶電體系形成能 |
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你可以多讀一些paper和tutorial多理解一些吧,這些問題太細(xì)太多了!人家回答打字也挺麻煩的。 1. Ef費(fèi)米能級一般不是取為VBM=零點(diǎn)了嗎,那這一項(xiàng)是要考慮為零嗎,最后一項(xiàng)說是缺陷形成過程中的振動能,也不知道怎么算,文章里下文完全沒提。?梢院雎詥幔 Ef 取值一般從VBM到CBM,Ef不同,formation energy不同。 2. E(O2)文章取的實(shí)驗(yàn)值沒啥說的,E(O)說是電子結(jié)構(gòu)計算得來的,在CASTEP里就是構(gòu)建一個大立方,放一個氧原子算能量嗎? 是的。 3. Δμ(O)怎么確定,文章說Δμ(O)=0定義富氧極限,但氧空位產(chǎn)生不該是缺氧情況嗎? Δμ(O)很難確定,只能取兩個極限值。Δμ(O)=0為富氧環(huán)境(O2 單質(zhì)情況下Δμ(O)=0)。還有一種是O2 deficiency情況,Δμ(O)很。橐惠^負(fù)值)。氧空位在富氧情況下確實(shí)更難形成但這里不是你理解的那樣。 4. 考慮到帶電情況還有修正公式:Ecorr=E(isolated)-E(periodic)+qΔV,最后一項(xiàng)是對齊用的。有個問題是等式右側(cè)不就是我們要求的數(shù)嗎,那這個修正的意義何在?在CASTEP里計算荷電情況的時候是直接在計算的時候Charge一欄填一個電荷數(shù)就ok嗎? qΔV 因?yàn)槿毕輲щ姾梢鸬撵o電勢能變化。E(isolated)-E(periodic) 所有DFT計算都采用PBC即周期性邊界條件,你計算的是一個單胞,但實(shí)際上CASTEP考慮的是無限大周期重復(fù)的整個晶體。所以一個缺陷和他旁邊相鄰的單胞內(nèi)的缺陷會有相互作用,而這種相互作用是artifacts不是你想要的,所以要減掉。 |
銀蟲 (小有名氣)
送紅花一朵 |
感謝回復(fù),主要我不是搞這個的,有些東西一時半會兒搞不明白。我想問的主要是最后一個,E(isolated)我問題里寫了,文章說是“用靜電理論很容易解出來”,沒用DFT 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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