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shana1014金蟲 (初入文壇)
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[求助]
MAPbI3單晶塊體和多晶薄膜的PL峰位差異原因
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大家好,我想求助一個關(guān)于鈣鈦礦材料光致發(fā)光譜(pl)分析的問題。 材料是:mapbi3的單晶塊體材料和多晶薄膜。我發(fā)現(xiàn)兩者pl峰位有明顯差異,單晶的pl主峰位對應(yīng)波長比薄膜的pl峰位波長要大很多,文獻只解釋說是材料本征的性質(zhì)造成的。所以我想請問造成單晶和多晶的pl峰位差異的本征原因到底是什么?如果是由于多晶薄膜中晶界的存在,使得缺陷能級更多,那也應(yīng)該是多晶薄膜的pl峰位對應(yīng)的波長更大才對,但事實是相反的,求助大佬幫助解釋一下! |

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