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enen123新蟲(chóng) (初入文壇)
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北京大學(xué)誠(chéng)聘博士后 (半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用方向)
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北京大學(xué)“博雅博士后”及“博新計(jì)劃博士后”項(xiàng)目誠(chéng)聘博士后(半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用方向) 工作地點(diǎn): 北京大學(xué)(北京) 研究方向: 寬禁帶半導(dǎo)體(GaN, SiC), Si功率半導(dǎo)體, 功率電子技術(shù),等方向 待遇: 如申請(qǐng)到“博雅博士后”,北京大學(xué)提供18.5萬(wàn)/年+ 9.1萬(wàn)/年+6萬(wàn)/年的待遇。如申請(qǐng)到“博新計(jì)劃博士后”,進(jìn)站后享受?chē)?guó)家給予兩年60萬(wàn)元資助。所有的博士后項(xiàng)目均享受北京戶口、子女教育等相關(guān)政策。課題組另將提供相應(yīng)的績(jī)效工資。 北京大學(xué)“博雅博士后”申請(qǐng)截止時(shí)間為2020年3月15日!安┬掠(jì)劃博士后”申請(qǐng)截止時(shí)間為2020年2月29日。請(qǐng)感興趣的候選人盡快與課題組導(dǎo)師聯(lián)系。 https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg ... mp;isappinstalled=0 https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/110868.htm 課題組介紹: 課題組主要研究半導(dǎo)體(GaN、SiC、Si)功率器件及功率電子技術(shù)。包括器件工藝與制備,器件物理與可靠性分析,功率器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)與應(yīng)用等。課題組負(fù)責(zé)人魏進(jìn)博士于2017年畢業(yè)于香港科技大學(xué),在IEEE EDL,IEEE T-ED,IEDM,ISPSD等本領(lǐng)域的權(quán)威期刊與會(huì)議上發(fā)表論文80余篇。課題組善于挖掘與激發(fā)組員的科研潛能,將為組員提供高質(zhì)量的科研指導(dǎo)。 申請(qǐng)條件: (1) 35歲以下; (2) 在國(guó)內(nèi)外知名高校電子,材料,物理等相關(guān)學(xué)科獲得博士學(xué)位不超過(guò)三年,或即將于2020年博士畢業(yè); (3) 在所在領(lǐng)域主流SCI期刊或頂級(jí)會(huì)議以第一作者身份發(fā)表過(guò)論文2篇以上,論文能體現(xiàn)自己的特長(zhǎng)和能力 應(yīng)聘方式: 請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷以及代表性論文全文(2篇)發(fā)送至課題組導(dǎo)師郵箱:jweiaf@connect.ust.hk |
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