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wjmxpp新蟲 (初入文壇)
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[求助]
請(qǐng)教有關(guān)電化學(xué)拋光銅箔的問題 已有2人參與
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由于CVD實(shí)驗(yàn)需要拋光退火后的銅箔，我的銅箔在拋光完之后不像文獻(xiàn)里和未拋光的銅箔比較只是表面的一條條的褶皺沒了，我的感覺都過蝕了。 在面積小的時(shí)候表面會(huì)挺光滑的，但是面積大了以后就會(huì)出現(xiàn)邊緣光滑，中心拋不光，然后中心光了，邊上又不光了 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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也許、明天
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5樓2019-12-30 22:10:24
songcumt
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2樓2019-12-29 18:20:41
也許、明天
鐵桿木蟲 (正式寫手)
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【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
| 拋光是有必要，但是文獻(xiàn)中的描述也不盡正確。首先用于CVD石墨烯生長的Cu片的正確處理工藝順序應(yīng)該是as-received Cu foil先拋光再去高溫在Ar和H2保護(hù)氣下熱處理，再直接通carbon precursor進(jìn)行石墨烯生長。至于你提到的拋光問題，如果是參考文獻(xiàn)中的拋光液，給你的建議是用稍微大片的銅進(jìn)行拋光，這樣即使邊上不光亮，剪裁邊上的，用中間的也可以滿足你的使用。至于拋光如何提高，我個(gè)人有倆點(diǎn)建議，拋光的那個(gè)銅作為正極，負(fù)極你也可以用銅片，但是負(fù)極的Cu面積要大于正極；其次拋光時(shí)間我個(gè)人覺得10分鐘足夠，拋光完立即用水和乙醇清洗完，氮?dú)獯蹈伞伖馔暌院笤贑VD高溫?zé)崽幚硪院笤偃ドLG。祝好，也祝早日解決這個(gè)問題。 |
3樓2019-12-29 21:50:52
wjmxpp
新蟲 (初入文壇)
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我用了一個(gè)最簡單的數(shù)字源表給電壓，看到文獻(xiàn)中有人說要小一點(diǎn)的電流密度，但是不知道怎么控制，我的確發(fā)現(xiàn)，如果我的待拋光的銅片小一點(diǎn)會(huì)比較容易拋光，還想問一個(gè)拋光完表面就是很光亮的狀態(tài)嗎，問過其他同學(xué)有的說不是光亮的，退火后才會(huì)比較光亮 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
4樓2019-12-30 21:59:23
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