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deletep新蟲(chóng) (初入文壇)
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[求助]
帶電缺陷問(wèn)題求教
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有幾個(gè)關(guān)于帶電缺陷計(jì)算的問(wèn)題，請(qǐng)大家不吝賜教 1.現(xiàn)有大部分文獻(xiàn)關(guān)于缺陷形成能的討論大部分都是通過(guò)計(jì)算不同極端生長(zhǎng)條件下缺陷各個(gè)帶電狀態(tài)的形成能來(lái)確定缺陷的價(jià)態(tài)。這種算法對(duì)于輻照缺陷是否適用呢！例如中子輻照是在材料使用過(guò)程中，由于中子的轟擊而造成原子偏離原始晶格位置而造成的了很多缺陷，那么這種缺陷和原始生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷是否一樣呢。 2.關(guān)于雜質(zhì)缺陷。我的理解是雜質(zhì)進(jìn)入材料內(nèi)部和材料發(fā)生相互作用從而帶電，那么如果雜質(zhì)元素不會(huì)和材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，那這中雜質(zhì)是否會(huì)帶電呢。而現(xiàn)在通用的計(jì)算都是直接帶電離子直接放入體系計(jì)算形成能，這種方法是否可靠呢？ |
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 缺陷計(jì)算 |
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