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豌豆芽jy新蟲 (小有名氣)
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[求助]
高斯中背景電荷怎么設(shè)置? 已有1人參與
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各位大佬,我想用oniom分層,low層的分子用背景電荷代替,輸入文件我該怎么設(shè)置?有沒有什么具體的例子?謝謝~ 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
版主 (著名寫手)
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關(guān)鍵詞里要加上charge 。要算的正常原子都按一般的寫法 要當(dāng)成背景電荷的原子就把坐標(biāo)拷貝出來 去掉原子符號(hào) 在 x y z 列之后 加一列 每一個(gè)坐標(biāo)的電荷數(shù)空一行貼在正常的原子坐標(biāo)的部分后面 大概結(jié)構(gòu)就是 %nporc= %mem= # opt b3lyp/6-31g(d) charge title 0 1 C 0.0 0.0 0.0 #這幾行就是原子坐標(biāo)部分 H 1.0 1.0 1.0 (以下省略) ..... ..... #這里空一行 2.1 2.0 5.0 -2.0 #這里開始是坐標(biāo)和電荷的大小 3.1 2.1 1.2 +2.0 (以下省略) .... .... |
新蟲 (小有名氣)
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