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關(guān)于半導(dǎo)體的摻雜與能級位置變化的關(guān)聯(lián)
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| 對于一個半導(dǎo)體材料,摻雜是如何影響VBM或者CBM位置的?有沒有什么規(guī)律可循?換言之,摻雜材料的功函數(shù)高低、導(dǎo)電類型等和半導(dǎo)體的VBM或CBM發(fā)生了升降變化之間是怎么樣的內(nèi)在關(guān)聯(lián),期待得到解答,謝謝了 |

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