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小木蟲論壇-學(xué)術(shù)科研互動平臺 » 材料區(qū) » 微米和納米 » 微納器件 » 膜厚測量
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膜厚測量
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測試方法 應(yīng)用范圍 臺階儀 膜厚測量（有損，樣品有臺階）tapping模式 SEM 形貌分析，膜厚測量，能譜分析（有損，測量截面） 橢偏儀 用于單層或多層透明或半透明薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)的測定（無損，樣品透明） X射線熒光測厚儀 可測量電鍍、蒸鍍、離子鍍等各種金屬鍍層的厚度，元素分析（無損，可測量不透明樣品） 白光干涉三維表面輪廓儀 三維表面輪廓測量和粗糙度測量，臺階高度測量，磨痕的深度、寬度和體積定量測量，空間分析和表面紋理表征，平面度和曲率測量，二維薄膜應(yīng)力測量，表面質(zhì)量和缺陷檢測等（無損，樣品有臺階） AFM 表面粗糙度，表面形貌（樣品有臺階，臺階不超過2um） 備注：根據(jù)薄膜是否透明，有損or無損測量選擇測試方法 臺階儀 當(dāng)針尖沿被測表面輕輕劃過時，由于表面有微小的峰谷使觸針在滑行的同時，還沿峰谷作上下運動。觸針的運動情況就反映了表面輪廓的情況。傳感器輸出的電信號經(jīng)測量電橋后，輸出與觸針偏離平衡位置的位移信號成正比的調(diào)幅信號。 技術(shù)指標(biāo) 垂直分辨率<1?，可測量臺階高度范圍0-327μm；橫向分辨率<0.1μm（2μm探針）；最小探針作用力0.5mg；垂直重復(fù)性：4 nm@1um標(biāo)準(zhǔn)樣；探針針尖半徑：2μm；俯視光學(xué)系統(tǒng)5M像素彩色CCD，4x變焦；樣品臺XY移動距離150mm。 SEM 原理 高能入射電子轟擊樣品的表面時，將會在入射區(qū)域激發(fā)產(chǎn)生二次電子等種種輻射信號，掃描電子顯微鏡主要是利用極狹窄的電子束掃描樣品過程中產(chǎn)生的二次電子信號成像來觀察樣品的表面形貌。 技術(shù)指標(biāo) 二次電子成像分辨率：1.0 nm；背散射電子成像分辨率：2.0 nm；放大倍數(shù)：2X-1,000,000X。EDS：可分析元素：Be～Cf 檢測下限：1% 空間分辨率：1μm。 橢偏儀 原理 一束自然光經(jīng)偏振器變成偏振光，再經(jīng)過1/4波片使它變成橢圓偏振光入射到待測膜上，反射時光的偏振狀態(tài)發(fā)生變化，通過檢測這種變化，便可推算出待測膜面的膜厚度和折射率。 技術(shù)指標(biāo) 波長范圍：190~1700 nm；光譜分辨率：1.6 nm（波長小于1000 nm）；3.7 nm（波長大于1000 nm）；自動入射角范圍：45~900；自動樣品臺：150 mm*150 mm；旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器，Ψ可測范圍0~900，Δ可測范圍0~3600。 X射線熒光測厚儀 原理 當(dāng)原子受到原級X射線或其他微觀粒子的激發(fā)使原子內(nèi)層電子電離而出現(xiàn)空位，原子內(nèi)層電子重新配位，較外層的電子躍遷到內(nèi)層空位，并同時放出次級X射線，即X射線熒光。X射線熒光的波長對不同元素是特征的，因此可以根據(jù)元素X射線熒光特征波長對元素做定性分析，根據(jù)元素釋放出來的熒光強(qiáng)度，來進(jìn)行定量分析如元素厚度或含量分析。 技術(shù)指標(biāo) 可測元素范圍：鈦Ti~鈾U；可測多層膜厚：最多6層；成分分析；可同時分析30種元素。 白光干涉三維表面輪廓儀 原理 利用白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成的用于樣品表面微觀形貌檢測的精密儀器。 技術(shù)指標(biāo) 垂直掃描范圍：30 μm、100μm、5mm、10mm；垂直掃描分辨率：0.01nm；分辨率：752×480像素（可選1k×1k ）；側(cè)向分辨率：0.11-8.8 μm；RMS重復(fù)精度：1nm；視場范圍：8mm×10mm-0.084mm×0.063mm；校正精度：＜＜0.1%；反射要求：1% - 100% 。 AFM 原理 將一個對微弱力極敏感的微懸臂一端固定，另一端有微小的針尖，針尖與樣品表面輕輕接觸，由于針尖尖端原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力，通過在掃描時控制這種力的恒定，帶有針尖的微懸臂將對應(yīng)于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運動。利用光學(xué)檢測法或隧道電流檢測法，可測得微懸臂對應(yīng)于掃描點的位置變化，從而可以獲得樣品表面的形貌。 技術(shù)指標(biāo) 磁疇探測精度：10nm；水平方向分辨率：0.2nm；垂直方向分辨率：0.03nm；X-Y向掃描范圍：12μm×12μm，90μm×90μm；X-Y向噪聲水平：< 0.15 nm RMS 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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5樓2021-03-20 22:07:21
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2樓2019-09-12 09:52:01
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