 |
 |
 |
 |
 |
 |
||
 |
 |
 |
 |
 |
| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 查看: 2497 | 回復(fù): 4 | ||||
[求助]
第一性原理計算 EOS擬合優(yōu)化晶胞 已有1人參與
|
|
對于EOS擬合優(yōu)化晶胞一直存在著很多疑問： 1. 大師兄的教程是計算不同體積晶胞的單點能(ISIF=2, NSW=0)，將獲得的能量和體積進(jìn)行BM方程擬合來獲得平衡晶格常數(shù)； 2. 侯柱峰老師的方法是對不同體積的晶胞先進(jìn)行一次離子弛豫（ISIF=2, 4或5），之后再進(jìn)行靜態(tài)計算；最后靜態(tài)計算得到的能量再和體積進(jìn)行BM方程擬合； ************* 這兩種方法的區(qū)別主要在于原子弛豫的順序，那在計算當(dāng)中我們應(yīng)該選擇哪種方法呢？ |
回復(fù)此樓» 猜你喜歡
324求調(diào)劑
已經(jīng)有6人回復(fù)
-
A區(qū)一本交叉課題組，低分調(diào)劑，招收機械電子信息通信等交叉方向
已經(jīng)有28人回復(fù)
-
334求調(diào)劑
已經(jīng)有7人回復(fù)
-
085602高分子方向求調(diào)劑
已經(jīng)有4人回復(fù)
-
083000，總分284，求調(diào)劑
已經(jīng)有3人回復(fù)
-
不限學(xué)校專業(yè)的調(diào)劑同學(xué)看過來
已經(jīng)有7人回復(fù)
-
303求調(diào)劑
已經(jīng)有5人回復(fù)
-
復(fù)試調(diào)劑
已經(jīng)有7人回復(fù)
-
新疆大學(xué)地質(zhì)與礦業(yè)工程學(xué)院招生
已經(jīng)有6人回復(fù)
-
2026年博士名額撿漏
已經(jīng)有4人回復(fù)
卡開發(fā)發(fā)
專家顧問 (著名寫手)
Ab Initio Amateur
-
專家經(jīng)驗: +224 - 1ST強帖: 2
- 應(yīng)助: 47 (小學(xué)生)
- 金幣: 3502.8
- 散金: 14
- 紅花: 223
- 帖子: 2477
- 在線: 1254小時
- 蟲號: 1369423
- 注冊: 2011-08-16
- 性別: GG
- 專業(yè): 金屬材料的磨損與磨蝕
- 管轄: 第一性原理
|
原理上應(yīng)該這么考慮，如果晶體處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu)： <1>能量E對每個原子的核坐標(biāo)xN有(∂E/∂xN)=0； <2>stress=0； <3>如果僅考慮<2>取trace的情況，能得到體積Ω滿足p=-(∂E/∂Ω)=0； 討論： 1、NSW=0，EOS找極小的點只是能夠滿足條件<3>，無法滿足條件<1>、<2>。唯一成立的條件是通過對稱性能把晶格參數(shù)和3N個原子坐標(biāo)降低到只有一個獨立變量，比如Fe這種BCC或者Cu這樣的FCC的簡單格子，約束對稱性的情況只有晶格長度a可以自由變化。 2、isif=2，NSW>0，只能滿足條件<1>、<3>，此時對于三個長度參數(shù)任意或三個夾角任意的情況就不是很合理。成立的條件是能將晶格參數(shù)約化到一個獨立變量，比如一般的立方晶格應(yīng)該都行。 3、isif=4，我認(rèn)為還算原理上合理。 如果只要最優(yōu)晶格的情況，我覺得這些擬合方法也不算是很好的方法。比如我們?nèi)?yōu)化H2分子來得到平衡鍵長，你可以計算不同鍵長的H2然后擬合勢能曲線來得到極小點，也可以通過給定某個結(jié)構(gòu)的能量和力來通過優(yōu)化算法確定極小點，通常后者肯定效率要更高一些。對于尋找最優(yōu)晶格的情況，擬合EOS就是做E-V曲線找極小，但直接擬合需要計算很多點才能完成；這個問題本身就是個一維極小問題，通過一維線搜索算法可以更高效進(jìn)行解決，而且不需要假定晶格的E-V曲線長什么樣。如果晶格不是很復(fù)雜，直接用isif=3穩(wěn)定的情況下應(yīng)該更合適一些。 |
2樓2019-07-23 22:53:23
|
非常感謝從原理出發(fā)進(jìn)行了如此詳細(xì)的解釋！ 不知道自己是否理解正確： 1. 對于ISIF的取值需要我們根據(jù)我們體系而定：對于只有一個參數(shù)（比如BCC,FCC簡單格子只需要優(yōu)化晶格長度a）我們可以用ISIF=2；對于有多個參數(shù)需要優(yōu)化，ISIF=4或者5更為合理； 2. 對于NSW的取值還是有些許疑問：我們是否可以在優(yōu)化晶格參數(shù)的時候先用NSW=0來固定原子位置；在用BM方程確定晶格參數(shù)后再進(jìn)行一次離子弛豫； ***** 覺得自己對第一性原理計算理解得太淺顯了，向您學(xué)習(xí)！ |
3樓2019-07-24 08:48:49
卡開發(fā)發(fā)
專家顧問 (著名寫手)
Ab Initio Amateur
-
專家經(jīng)驗: +224 - 1ST強帖: 2
- 應(yīng)助: 47 (小學(xué)生)
- 金幣: 3502.8
- 散金: 14
- 紅花: 223
- 帖子: 2477
- 在線: 1254小時
- 蟲號: 1369423
- 注冊: 2011-08-16
- 性別: GG
- 專業(yè): 金屬材料的磨損與磨蝕
- 管轄: 第一性原理
|
1、原理上一般復(fù)雜的情況其實isif=3最方便，如果把H2分子的掃描和優(yōu)化作為例子來看，isif=3相當(dāng)于是那個優(yōu)化，isif=4+EOS就相當(dāng)于掃描；同樣，做isif=5和做NSW=0的掃描也是這樣的關(guān)系，但兩者均缺乏原子弛豫，而isif=2與這兩個正好相反，僅考慮了原子弛豫而不考慮晶格形狀的變化。 2、NSW先優(yōu)化晶格，可能得到的晶格對于當(dāng)前離子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)固定的情況是最優(yōu)，在進(jìn)行離子弛豫之后晶格就又不是最優(yōu)的了，要找的點其實應(yīng)該是兩者同時都是最優(yōu)。對于isif=4掃描體積的情況其實是一直約束原子坐標(biāo)和晶格形狀是最優(yōu)的，所以才比較合理。 |
4樓2019-07-24 15:11:06
waveflying
新蟲 (著名寫手)
- 應(yīng)助: 12 (小學(xué)生)
- 金幣: 182
- 散金: 3611
- 紅花: 23
- 沙發(fā): 51
- 帖子: 2945
- 在線: 1696.5小時
- 蟲號: 1965238
- 注冊: 2012-08-31
- 性別: GG
- 專業(yè): 凝聚態(tài)物性 II ：電子結(jié)構(gòu)
【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
|
Pseudo-code For (set of Volumes: equilibrium volume ±5%){ Step 1 : Fixed Volume relaxation (IBRION = 2, ISIF=4, ENCUT = 1.3x ENMAX, LCHARG=.TRUE., NSW=100) Step 2→n-1: Second and following fixed Volume relaxation (until a threshold is crossed and the structure is relaxed in fewer than N ionic steps) (IBRION = 2, ISIF=4, ENCUT = 1.3x ENMAX, ICHARG=1, LCHARG=.TRUE., NSW=100) Step n : Static calculation (IBRION = -1, no ISIF parameter, ICHARG=1, ENCUT = 1.3x ENMAX, ICHARG=1, LCHARG=.TRUE., NSW=0) } Fit Volume-Energy to Equation of State. Fixed volume relaxation at equilibrium volume. (With continuations if too many ionic steps are required.) Static calculation at equilibrium volume |
5樓2019-07-24 16:22:32
相關(guān)版塊跳轉(zhuǎn)
我要訂閱樓主 Cythia_cd4 的主題更新
| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 最具人氣熱帖推薦 [查看全部] | 作者 | 回/看 | 最后發(fā)表 | |
|---|---|---|---|---|
|
[考研] A區(qū)一本交叉課題組，低分調(diào)劑，招收機械電子信息通信等交叉方向 +20 | lisimayy 2026-03-04 | 28/1400 |
|
|---|---|---|---|---|
|
|
[考研] 求調(diào)劑，學(xué)校研究所都可以，材料與化工267分 +6 | wmx1 2026-03-05 | 6/300 |
|
|
|
[考研] 復(fù)試調(diào)劑 +5 | 呼呼？~+123456 2026-03-05 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 085602 293分求調(diào)劑 +3 | SivanNano. 2026-03-05 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 接收調(diào)劑 +19 | 津萌津萌 2026-03-02 | 29/1450 |
|
|
|
[考研] 0856材料與化工求調(diào)劑！ +5 | 化工考生111 2026-03-04 | 9/450 |
|
|
|
[考研] 化學(xué) 0703求調(diào)劑 總分293 一志愿211 +9 | 土土小蟲 2026-03-03 | 11/550 |
|
|
[考研] 一志愿鄭州大學(xué)，學(xué)碩，物理化學(xué)， 333求調(diào)劑 +5 | 李魔女斗篷 2026-03-04 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 一志愿314求調(diào)劑 +7 | 202111120625 2026-03-03 | 7/350 |
|
|
|
[考研] 0703化學(xué)調(diào)劑 +4 | G212 2026-03-03 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 289求調(diào)劑 +8 | yang婷 2026-03-02 | 10/500 |
|
|
|
[基金申請] 請問大家，研究風(fēng)險與應(yīng)對措施那里， 大家都怎么寫呢 ？ +3 | cauasen 2026-03-02 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 理學(xué)，工學(xué)，農(nóng)學(xué)調(diào)劑，少走彎路，這里歡迎您！ +8 | likeihood 2026-03-02 | 11/550 |
|
|
|
[考研] 085600材料與化工調(diào)劑 280分 +10 | yyqqhh 2026-03-03 | 10/500 |
|
|
|
[考研] 求調(diào)劑 +4 | Guo_yuxuan 2026-03-02 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 085600材料工程一志愿中科大總分312求調(diào)劑 +9 | 吃宵夜1 2026-02-28 | 11/550 |
|
|
|
[考研] 1 +5 | 2026計算機_誠心 2026-03-01 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 材料類求調(diào)劑 +11 | wana_kiko 2026-02-28 | 14/700 |
|
|
|
[考研] 290求調(diào)劑 +9 | 材料專碩調(diào)劑； 2026-02-28 | 11/550 |
|
|
|
[考研] 調(diào)劑 +3 | 簡木ChuFront 2026-02-28 | 3/150 |
|