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wangjia11s木蟲 (正式寫手)
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[求助]
關于H2-TPD定量 已有1人參與
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| 如題,我使用TCD檢測器做H2-TPD,由于沒有定量環(huán),所以想著用CuO的做標準物質做一條標準曲線。具體的做法如下,現在400度對氧化銅預還原1個小時,然后在5%H2/Ar下降至室溫,并保持吸附一個小時,之后再Ar下吹掃一個小時,然后程序升溫到600度。 之所以這樣做,是想和其他樣品TPD的過程保持一致,然后通過關聯CuO的質量(理論上可以算出消耗的H2)與峰面積的關系。 但是現在出現的問題是,對CuO這樣做的時候,其TPD過程中至出現一個非常小的峰(50mg CuO),這樣不知道該如何做了? 能否直接對氧化銅不預還原,直接按照TPR的峰面積和氧化銅質量進行關聯后,作為其他樣TPD峰面積的矯正? |
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我發(fā)過一個帖子,等一下給你找找。http://m.gaoyang168.com/t-11711445-1 H-TPD測分散度不準,有多層吸附,脈沖吸附比TPD更可靠。10多年前,沒有錢做很多TEM,我們也做過很多脈沖吸附。沒有想到有人發(fā)出了專門的文章。 |
至尊木蟲 (著名寫手)
專家顧問 (文壇精英)
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專家經驗: +3748 |
| 氧化銅只能做還原耗氫的標準,不能做TPD測吸附氫的標準,因為氫氣脫附量和分散度、載體、預處理條件等諸多因素有關 |
木蟲 (正式寫手)
木蟲 (正式寫手)
銅蟲 (正式寫手)




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