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macgradyzhu銅蟲 (小有名氣)
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[求助]
怎么解釋帶隙過。ㄐ∮1.0 eV)對紅外非線性光學晶體材料的嚴重影響
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化合物帶隙過小的話會嚴重限制其紅外非線性光學性能,這個可以怎么解釋呢,除了一般大的bandgap會導致大的LDT之外,怎么解釋帶隙小的化合物不適合在紅外非線性光學領域的應用更讓人信服呢? HELP。! |
木蟲 (小有名氣)
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還是那句話發(fā)文章和做應用二回事,很多文章的東西經(jīng)不起推敲,尤其是搞化學的講什么新現(xiàn)象的時候,還不如上世紀60年代的搞物理的嚴謹 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (小有名氣)
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其實我說實話這句話也就是做化學的不理解物理內(nèi)涵做的一個唯象理論,其實一個角度是紅外損傷閾值主要由熱損傷決定,一般來說帶隙小的化學鍵成鍵較弱,熔點偏低,熱損傷閾值低,當然如果熔點比較高熱導率比較大的材料另說。比如GaAs帶隙0.57不妨礙它是最好的遠紅外紅外非線性光學材料,最好的中紅外是ZnGeP2 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (小有名氣)
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多嘴說一句損傷閾值其實包括光學和熱學兩部分,很多有機物光損傷很高,但熱損傷很低所以很難應用。不過也就是這樣了,很多文章也就是人云亦云,沒啥營養(yǎng),真想知道多看看物理的機理,雖然損傷閾值的具體機理也是物理里沒搞清的問題,但是說個帶隙就覺得損傷閾值高或低真是無聊,不過嘛發(fā)文章而已,很多JACS上非相位匹配的性能瞎忽悠還不是發(fā)了,真較真你時間上不允許的 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
木蟲 (小有名氣)
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其實當你看到ZnGeP2的帶隙比AgGaS2低,但是損傷閾值更高你就要明白所謂帶隙越大損傷閾值越高就是個多不嚴謹?shù)慕Y論。ZnGeP2的熱導率比AGS高得多 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
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