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中國科學(xué)院微電子研究所---集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心---聯(lián)合培養(yǎng)研究生招生(共4名)
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又又又又又來了~~~~~ 中國科學(xué)院微電子研究所 集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心因項(xiàng)目需要,在三個(gè)研究方向,共特招4名聯(lián)合培養(yǎng)研究生(博士或碩士)。三個(gè)方向分別為:1、二維材料(TMDs,InSe)器件設(shè)計(jì)及工藝研發(fā),2、硅基高靈敏度霍爾傳感器的研究與系統(tǒng)集成,3、先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)CMOS架構(gòu)與關(guān)鍵技術(shù)TCAD path-finding研究,要求分別如下: 1, 二維材料(TMDs,InSe)器件設(shè)計(jì)與工藝研發(fā)(預(yù)計(jì)招收1人): a) 物理、微電子、化學(xué)等相關(guān)專業(yè) b) 對(duì)微納加工工藝有一定的了解,具有器件研發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先; c) 勤奮踏實(shí),勇于鉆研,富有責(zé)任感; d) 保證不低于1.5年的實(shí)習(xí)時(shí)間。 簡(jiǎn)歷投遞郵箱:wuzhenhua@ime.ac.cn, jiakunpeng@ime.ac.cn 2, 硅基高靈敏度霍爾傳感器/壓力傳感器的研究與系統(tǒng)集成(預(yù)計(jì)招收2人): a) 自動(dòng)化、電子、測(cè)試計(jì)量技術(shù)、機(jī)械等相關(guān)專業(yè) b) 對(duì)微納加工工藝、硅基CMOS工藝有一定的了解; c) 熟練使用電路設(shè)計(jì)軟件及仿真軟件; d) 具有強(qiáng)的學(xué)歷能力以及深入鉆研的耐心,富有團(tuán)隊(duì)意識(shí)與責(zé)任感; e) 保證不低于1.5年的實(shí)習(xí)時(shí)間。 簡(jiǎn)歷投遞郵箱:jiakunpeng@ime.ac.cn 3, 先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)CMOS架構(gòu)與關(guān)鍵技術(shù)TCAD path-finding研究(預(yù)計(jì)招收1人): a) 物理、微電子、化學(xué)等相關(guān)專業(yè) b) 對(duì)微納加工工藝有一定的了解,熟悉CMOS器件工藝流程; c) 熟悉linux系統(tǒng)優(yōu)先 d) 勤奮踏實(shí),勇于鉆研,富有責(zé)任感; e) 保證不低于1.5年的實(shí)習(xí)時(shí)間。 簡(jiǎn)歷投遞郵箱:wuzhenhua@ime.ac.cn 特別說明 1. 聯(lián)合培養(yǎng)研究生指高校和本所聯(lián)合培養(yǎng)的形式的研究生,畢業(yè)頒發(fā)高校學(xué)位,由高校負(fù)責(zé)學(xué)生入學(xué),考試,畢業(yè)等工作,本所負(fù)責(zé)提供項(xiàng)目實(shí)習(xí)機(jī)會(huì)和條件,并提供撰寫畢業(yè)論文的軟硬件設(shè)施。基本順序是在高校入學(xué)并修完相關(guān)課程——在微電子所聯(lián)培——回高校完成畢業(yè)答辯。研究生一年級(jí)或者剛?cè)攵昙?jí)較好,有較長的時(shí)間進(jìn)行項(xiàng)目學(xué)習(xí)。 2. 使用郵件投遞簡(jiǎn)歷; 3. 郵件主題為“2019_聯(lián)培生_研究方向_碩士(或博士) _XX大學(xué)_XX專業(yè)_XXX” 4. 簡(jiǎn)歷必須是word或PDF格式,簡(jiǎn)歷名稱與郵件主題一樣,為“2019_聯(lián)培生_研究方向_碩士(或博士)_XX大學(xué)_XX專業(yè)_XXX”,以郵件附件的形式發(fā)送; 5. 實(shí)驗(yàn)室提供較好的補(bǔ)貼待遇與個(gè)人發(fā)展空間。 聯(lián)合培養(yǎng)研究生針對(duì)高校在讀的低年級(jí)碩士或者博士研究生 單位地址:北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào) 中國科學(xué)院微電子研究所 |
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