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spphins510新蟲 (小有名氣)
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分享與交流CASTEP 計(jì)算中截?cái)嗄芎蚄值的選擇經(jīng)驗(yàn) 已有6人參與
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一直在小木蟲索取，這次也想分享一下~雖然很基礎(chǔ)的內(nèi)容，但感覺對(duì)初學(xué)者，尤其是基礎(chǔ)比較差的（我自己）還是會(huì)有幫助的。這些內(nèi)容來源于軟件說明書、小木蟲的討論等資源。而且如果有不對(duì)的地方，還請(qǐng)路過的大家能夠指點(diǎn)一下~謝謝啦。 截?cái)嗄?br /> Energy cutoff：控制平面波基組的大小，平衡準(zhǔn)確性和計(jì)算速度。在做吸附計(jì)算的時(shí)候，要分別計(jì)算氣體分子，潔凈表面和吸附后表面的，為了消除最大誤差，該值不能夠采取默認(rèn)值，而應(yīng)該統(tǒng)一。 一般400eV對(duì)于計(jì)算表面科學(xué)足夠了。 K點(diǎn) k-points： 確定布里淵區(qū)域采樣的準(zhǔn)確性；k點(diǎn)的質(zhì)量對(duì)于金屬系統(tǒng)尤其重要，在金屬系統(tǒng)中，電子結(jié)構(gòu)的快速變化可能發(fā)生在跨越費(fèi)米能級(jí)的能帶上。 經(jīng)驗(yàn)：實(shí)空間越大，K空間就越小。金屬體系需要精細(xì)的網(wǎng)格，絕緣體使用很少的k 點(diǎn)通常就可以。小單胞需要精細(xì)格點(diǎn)，大單胞很可能不需要。因此：?jiǎn)挝痪О麅?nèi)原子數(shù)很多（比如40-60 個(gè)）的絕緣體，可能僅需要一個(gè)（移動(dòng)后的）k 點(diǎn)。另一方面，面心立方的鋁可能需要上萬個(gè)k點(diǎn)以獲得好的DOS。對(duì)于孤立原子或分子的超晶胞，僅需要在Gamma點(diǎn)計(jì)算。對(duì)于表面（層面）的超晶胞計(jì)算，僅需要（垂直于表面）z 方向上有1 個(gè)k 點(diǎn)。 取值依據(jù)：（1）a×ka ≈ b×kb ≈ c×kc 或者說 1/a : 1/b : 1/c ≈ ka : kb : kc （2）ka~15 Å 為絕緣體 ka~20 Å 為半導(dǎo)體 ka~25 Å 為simple metals ka~30 Å 為d band metals 截?cái)嗄芎蚹值的收斂性測(cè)試： （1）方法：首先測(cè)試Ecut，把K點(diǎn)設(shè)置成足夠高的值，以步長(zhǎng)50eV逐步增加Ecut，查看總能的變化，當(dāng)變化小于0.001 eV/atom（dE/dEcut/atom）的時(shí)候就已經(jīng)足夠了。然后固定Ecut為測(cè)試好的值，逐步增加K值，以同樣的收斂標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試就行了。 （2）對(duì)于固體表面計(jì)算，和在切面之前對(duì)晶體做收斂性分析相比，在切面后做收斂性測(cè)試更合理。 （3）但要注意改變k值能量可能不是平穩(wěn)的收斂。 |
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截?cái)嗄�，改為custom（定值），多設(shè)幾個(gè)，做出總能量隨截?cái)嗄荜P(guān)系曲線，斜率趨于0即可 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
6樓2020-05-23 17:01:11
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還有，研究表面，最后一個(gè)數(shù)字改成1，比如，如果晶體用k值999得到能量最小，表面就改為991 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
8樓2020-05-23 17:06:21
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