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硅材料的sei膜相關(guān)問(wèn)題 已有1人參與
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請(qǐng)問(wèn)硅碳材料中,硅含量對(duì)sei膜的組分有影響嗎,有沒(méi)有相關(guān)文獻(xiàn)。謝謝指導(dǎo) 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶端 |
鐵蟲(chóng) (初入文壇)
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硅的脫嵌鋰過(guò)程中存在粉化,SEI膜會(huì)重復(fù)生成,導(dǎo)致容量損耗增加。所以,硅碳負(fù) 極需要在表面形成一層穩(wěn)定的SEI膜很重要。這個(gè)跟硅的含量無(wú)關(guān)的,張麗雅通過(guò)回 收光伏產(chǎn)業(yè)的硅廢料,提純后用濃硫酸和雙氧水進(jìn)行表面改性,在無(wú)摻雜碳的情況下 ,做出了循環(huán)200次還有2750mAh/g的硅負(fù)極;而周志斌通過(guò)高溫裂解制備了40%硅含 量的硅碳負(fù)極,首圈1322mAh/g,循環(huán)20圈后保持為898mAh/g;而陳立寶用噴霧干燥 法制備了15%硅的硅碳負(fù)極,穩(wěn)定放電容量512mAh/g,循環(huán)50周后容量保持率高達(dá)96% 。這說(shuō)明了,硅碳負(fù)極材料的形貌對(duì)SEI膜的控制有很大影響,張麗雅在純硅表面進(jìn) 行表面改性,做了一層致密的氧化層;周志斌、陳立寶分別用高溫裂解和噴霧干燥的 形式進(jìn)行硅碳包覆;他們都是為了保護(hù)電極材料中的Si顆粒,避免了硅和電解液的直 接接觸,減少了不可逆反應(yīng)的發(fā)生。 |
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