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丑杜莎新蟲 (初入文壇)
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瞬態(tài)光照射下i-v曲線測試p-n異質(zhì)結(jié),onset電位相較n型變更負(fù)?
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如題。在間歇可見光照射下,測試co3o4/tio2(p/n異質(zhì)結(jié)),半導(dǎo)體的伏安特性曲線。發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)陽極電流的電位(onset),相較單純tio2電位變負(fù)。 我的理解i-v測試的onset電位為費(fèi)米能級(jí)電位,這能否說明復(fù)合后樣品費(fèi)米能級(jí)負(fù)移?但是文獻(xiàn)中都說p-n復(fù)合會(huì)負(fù)移。 不知道這種情況如何解釋,有文獻(xiàn)最好,畢業(yè)論文急需,萬分感謝! @qsywp 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
新蟲 (初入文壇)
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