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xujc1983木蟲 (著名寫手)
苦逼青椒一枚
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[求助]
有關(guān)半導(dǎo)體光催化計算的疑問
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剛剛接觸光催化計算,向各位蟲友請教幾個問題: 1. 光催化的計算文獻(xiàn)大部分都在討論VBM和CBM。VBM和CBM計算是需要知道帶隙和功函數(shù)的,而表面模型才能算功函數(shù)。所有對于一種半導(dǎo)體材料,要首先確定哪個面表面能最小,然后以這個表面結(jié)構(gòu)來計算帶隙和功函數(shù),進(jìn)而得到VBM和CBM,這樣做對嗎? 很奇怪,有的文獻(xiàn)里沒有提哪個面,直接就給出了VBM和CBM,請問這個對嗎?如何得到塊體材料的VBM和CBM? 2. 一般計算的話,用GGA-PBE泛函,要求精度高的話,就應(yīng)該用HSE06。還是說,現(xiàn)在基本都是HSE06的結(jié)果才好拿出來了?HSE06計算好慢,好費時間啊 3. 光催化計算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函數(shù),還有別的嗎? |
木蟲 (著名寫手)
苦逼青椒一枚
金蟲 (小有名氣)
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1. 單層材料能計算功函數(shù),但是塊體材料好像是沒法直接計算的,塊體材料的處理一般是通過經(jīng)驗公式,計算馬利肯電負(fù)性后再求VBM和CBM。 2. 最廣為接受的還是HSE06,想發(fā)高檔次的最好還是用這個,如果條件不允許,可以試試metaGGA,在某些半導(dǎo)體帶隙值的計算上還是比較準(zhǔn)確的,實在不行,只能試試+U了。 3. 光催化,肯定和光有關(guān),那么材料光學(xué)性質(zhì)肯定是一個衡量指標(biāo),其次,載流子遷移率和電子空穴復(fù)合速率也是影響光催化效率的重要因素,多找找文獻(xiàn),關(guān)于這方面的計算應(yīng)該是不少的。 |
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剛剛接觸光催化計算,向各位蟲友請教幾個問題: 1. 光催化的計算文獻(xiàn)大部分都在討論VBM和CBM。VBM和CBM計算是需要知道帶隙和功函數(shù)的,而表面模型才能算功函數(shù)。所有對于一種半導(dǎo)體材料,要首先確定哪個面表面能最小,然后以這個表面結(jié)構(gòu)來計算帶隙和功函數(shù),進(jìn)而得到VBM和CBM,這樣做對嗎? 很奇怪,有的文獻(xiàn)里沒有提哪個面,直接就給出了VBM和CBM,請問這個對嗎?如何得到塊體材料的VBM和CBM? 樓上回答我就不回答了 2. 一般計算的話,用GGA-PBE泛函,要求精度高的話,就應(yīng)該用HSE06。還是說,現(xiàn)在基本都是HSE06的結(jié)果才好拿出來了?HSE06計算好慢,好費時間啊 那無疑是得用HSE06,metaGGA有個bug,無法輸出介電函數(shù) 3. 光催化計算通常涉及到 BandGap、DOS/PDOS、VBM/CBM、功函數(shù),還有別的嗎? 樓上說了,我就不說了,band edge相信你肯定知道 |

鐵蟲 (初入文壇)
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老師,您好~我用HSE06計算了功函數(shù),我做了一個測試一個是加了LHFCALC=.T. HFSCREEN=0.2 ALGO=Damped TIME=0.4這四個參數(shù)進(jìn)行計算,計算得到功函數(shù)為5.77eV;另外一個加了LHFCALC=.T. HFSCREEN=0.2這兩個參數(shù)計算,得到功函數(shù)為6.14,兩者差別0.37eV的差別,我一直以為加ALGO=Damped TIME=0.4這兩個參數(shù)只是為了加速收斂,節(jié)約時間,并不會改變結(jié)果。老師,我應(yīng)該以哪個計算結(jié)果為準(zhǔn)呢? |
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