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肖特基結(jié)處的電場E
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我做了一個(gè)晶體管,結(jié)構(gòu)是Au/CuPc/Al/CuPc/Au,P型半導(dǎo)體材料CuPc為半導(dǎo)體層,Au做源/漏級。 我認(rèn)為:電場強(qiáng)度E與器件上的電壓負(fù)載(V)和有機(jī)層( d )的厚度有關(guān),即E = V / d,其中V是漏極-源極電壓,d是半導(dǎo)體層的總厚度。 可是有人說:E、V和d之間的這種關(guān)系只有當(dāng)施加的電壓在厚度上有規(guī)律地下降時(shí)才是正確的。然而,由于半導(dǎo)體摻雜有p型摻雜劑,肖特基結(jié)處的電場E不等于V/d。 這種說法對嗎? 哪位大神給我解釋一下,E的表達(dá)式到底是什么? |
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