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請問用于刻蝕制作脊型波導的SOI片選擇參數(shù)應該注意哪些?
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| 各位蟲友,自己根據(jù)文獻設計了一個波導結構用來覆蓋石墨烯,按照文獻中的選材使用商用的SOI片進行加工,就是對上層的硅刻蝕成為一個脊型波導結構,然后加上下面氧化硅和上面的空氣包層形成一個波導。但是在選購SOI的時候自己手里只有硅層和氧化硅層的厚度參數(shù),對剩下的摻雜、晶向和電阻率參數(shù)就不知道應該做什么要求了,想問一下有沒有有經(jīng)驗的朋友告知一下上述參數(shù)對于實際波導的性能有什么影響,合理的選擇應該是怎樣的?*(比如載流子濃度會受到偏壓影響進而改變折射率,所以我想的是用本征硅) |
新蟲 (小有名氣)
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