關(guān)于優(yōu)化二維材料是是否優(yōu)化晶胞的問題
大佬們好,我要構(gòu)建二維材料,我是這樣做的:第一步從晶體庫導(dǎo)入晶胞,然后優(yōu)化,緊接著切出單層加真空層,然后我優(yōu)化這個帶有真空層的表面的時候,是否勾選上optimize cell這個選項(xiàng)?感謝大佬們的幫助,感激不盡
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大佬們好,我要構(gòu)建二維材料,我是這樣做的:第一步從晶體庫導(dǎo)入晶胞,然后優(yōu)化,緊接著切出單層加真空層,然后我優(yōu)化這個帶有真空層的表面的時候,是否勾選上optimize cell這個選項(xiàng)?感謝大佬們的幫助,感激不盡
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