MS軟件石墨烯的構(gòu)建
在網(wǎng)上找到的石墨烯構(gòu)建方法如下:
1、打開material studio,新建一個工程,導(dǎo)入石墨graphite.msi(也可以自己build,然后添加原子)。
2、build->make p1(目的是消除對稱性,這樣才能夠刪除一層原子)。
3、刪除一層原子(選中原子->delete)。
4、修改晶格參數(shù):build->crystal->rebuild crystal,設(shè)置方位角 , ,
5、構(gòu)建supercell(方便摻雜,也為了好看):build->symetry->supercell,構(gòu)建一個5x5x1的超原胞。
6、cleave surface(為了能夠添加真空層):build->surface->cleave surface,(h,k,l)改為(0,0,-1)
7、添加20埃真空層(添加真空層是為了減小層與層之間的影響,至少20埃,大點(diǎn)沒關(guān)系,最多是計算時時間長一點(diǎn)):build->srystal->build vacuum。
為什么要切割(0 0 -1),而不是(0 0 1)面。切了(0 0 1)面后,石墨烯在晶胞的最下面,這樣的話石墨烯會受到下面晶胞里石墨烯的影響嗎?切割(0 0 -1)石墨烯在晶胞的最上層。

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京公網(wǎng)安備 11010802022153號
有大佬知道嗎?
真空層可以設(shè)置距離底面的距離的
請問,這要設(shè)置是在石墨烯下面也加上真空層嗎?這樣就不會受下面晶胞的影響了?您可以把回答設(shè)置成應(yīng)助,我把金幣給您
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你可以試試,最下面那個是設(shè)置切的表面最底層距離底面的位置的,我不確定是不是滿足你的要求