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libing1201新蟲 (小有名氣)
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[求助]
EBSD如何得到再結(jié)晶分布圖? 已有3人參與
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EBSD如何將晶粒劃分為再結(jié)晶晶粒(recrystallized)、亞晶粒(substructured)和變形晶粒(deformed)?劃分依據(jù)是怎樣的? OIM軟件如何操作呢? 有償求助! |
鐵蟲 (初入文壇)
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EBSD(電子束誘導映射)是一種用于確定材料微觀結(jié)構(gòu)的技術(shù),它能夠區(qū)分晶粒的類型,包括再結(jié)晶晶粒、亞晶粒和變形晶粒。 ## 再結(jié)晶晶粒 再結(jié)晶晶粒是指在塑性變形后,由于溫度升高或應力松弛,晶粒開始重新結(jié)晶的晶粒。這種晶粒的特征是晶粒尺寸較小,晶界角度較大,且晶粒形狀不規(guī)則 [?](http://m.gaoyang168.com/html/201603/10032921_2.html)。 ## 亞晶粒 亞晶粒是指晶粒內(nèi)部存在的一種亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu),其晶粒尺寸介于正常晶粒和非晶態(tài)之間。亞晶粒的特征是晶粒尺寸適中,晶界角度較小,晶粒形狀較為規(guī)則 [?](http://m.gaoyang168.com/html/201603/10032921_2.html)。 ## 變形晶粒 變形晶粒是指在塑性變形過程中產(chǎn)生的晶粒,其特征是晶粒尺寸較大,晶界角度較大,晶粒形狀不規(guī)則 [?](http://m.gaoyang168.com/html/201603/10032921_2.html)。 在OIM(Orientation Intensity Maps)軟件中,我們可以通過以下步驟來進行晶粒的劃分: 1. 打開OIM軟件,導入EBSD數(shù)據(jù)文件。 2. 在菜單欄中選擇"Analyze" -> "Define Grains",進入晶粒定義界面。 3. 在晶粒定義界面中,可以通過手動勾選或自動檢測的方式來定義晶粒。 4. 定義完成后,在菜單欄中選擇"Analyze" -> "Define Regions",進入?yún)^(qū)域定義界面。 5. 在區(qū)域定義界面中,可以通過手動勾選或自動檢測的方式來定義再結(jié)晶晶粒、亞晶粒和變形晶粒的區(qū)域。 值得注意的是,劃分的依據(jù)主要取決于晶粒的形態(tài)、大小、取向等特性,同時也受到實驗條件(如溫度、應變速率等)的影響 [?](http://m.gaoyang168.com/html/201603/10032921_2.html)。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
金蟲 (小有名氣)
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根據(jù)晶粒的GOS值設定布爾運算條件將滿足條件的晶粒過濾出來,一般完全再結(jié)晶的晶粒,晶粒內(nèi)部取向差角小于等于2度,亞結(jié)構(gòu)是2度到7度,變形的為7度以上,這個閾值不是固定的,不同的人定義的標準可能不完全一樣,可根據(jù)結(jié)果進行微調(diào)。過濾出來后可以看到各種類型的晶粒所占的比例。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
| 我記得做EBSD的設備好像大致分兩類(這方面我不懂,可能有誤,會的麻煩給我糾個錯),不是輸出OIM文件的那種設備輸出的數(shù)據(jù)直接可以有再結(jié)晶分布圖,但我導師很質(zhì)疑那種方式輸出的合理性——可能不是所有材料任何狀況下都適用相同的臨界條件。我主要是用OIM軟件做分析,也如2樓所講的,主要用GOS定臨界值。我做工藝的,學習論文只清楚靜態(tài)再結(jié)晶的話,完全再結(jié)晶一般都是1~2°作為臨界值,另一個亞結(jié)構(gòu)的臨界值我理解的不如2樓深入,我不懂。/笑哭 這里有幾篇我找的論文,可能不一定是最經(jīng)典的,但應該還是會有幫助的(注意是動態(tài)再結(jié)晶還是靜態(tài)再結(jié)晶)。(Mechanism of continuous dynamic recrystallization in a 50Ti-47Ni-3Fe shape memory alloy during hot compressive deformation; Symmetric and symmetric rolling of magnesium: Evolution of microstructure, texture and mechanical properties;A new grain orientation spread approach to analyze the dynamic recrystallization behavior of a cast-homogenized Mg-Zn-Zr alloy using electron backscattered diffraction) |
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