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papri新蟲 (初入文壇)
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[交流]
GGA計算單層MoS2帶隙需要修正嗎 已有1人參與
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前兩天終于收到了評審意見，文章是關(guān)于MoS2吸附的。評審人問了GGA計算能帶時帶隙修正的問題，因為讀過的相關(guān)論文里關(guān)于帶隙的部分也都是沒有修正的，但是也沒說明為什么，文章里就沒有用+U、剪刀之類的修正，帶隙計算結(jié)果1.72eV。想請教一下，該怎么回復(fù)才好。 審稿人意見如下：As it is well-known, the bandgap of semiconductor presented by GGA method is underestimated, in Fig. 2, the author gives band diagram of the clean and adsorption configurations of MoS2, is there any corrections performed with respect to band gap? such as Scissors operator, DFT-D, etc. If not, please add some explanations. |
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papri
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4樓2021-04-23 13:59:17
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你好 請問 二硫化鉬在MS里怎么進行幾何優(yōu)化 我看參考文獻和小木蟲里面都說優(yōu)化之后鍵長是2.408為什么我優(yōu)化之后是2.44 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
2樓2021-04-23 13:11:41
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3樓2021-04-23 13:25:16
papri
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5樓2021-04-23 14:27:56
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