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luanzx6588木蟲 (正式寫手)
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[求助]
MOCVD生長(zhǎng)氧化鎵,為啥一般用Ar做載氣,而N2用的很少? 已有1人參與
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求助, MOCVD生長(zhǎng)氧化鎵,為啥一般用Ar做載氣,而N2用的很少? 生長(zhǎng)條件一般40mbar,800℃,富氧氣氛。 是N2分解,還是N2少量與O2反應(yīng),或其他? |
銅蟲 (初入文壇)
| 在氧化鎵中,HVPE用的是N2作為載氣,反應(yīng)溫度在1200攝氏度,用的Ga源是GaCl or GaCl3,O源為氧氣,所以不存在N2分解也不存在與O2反應(yīng),N2的分解溫度和反應(yīng)溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于800攝氏度。主要原因在于N2作為載氣極大降低氧化鎵的沉積速率,MO生長(zhǎng)氧化鎵的Ga源為三甲基鎵,N2作為載氣,Ga源的擴(kuò)散系數(shù)低,再加上MO本身的沉積速率,所以不適合采用N2作為載氣。 |
銅蟲 (初入文壇)
木蟲 (正式寫手)
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